时间：2025/8/16 14:30:14
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8N65/CJP08N65 是一款常见的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种功率电子设备中。该器件具有较高的耐压能力，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大连续漏极电流(Id)：8A（在25℃下）
最大功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.95Ω（在Vgs=10V时）
封装形式：TO-220或类似功率封装
8N65/CJP08N65具有良好的导通特性和较高的开关速度，适用于高频功率转换应用。
其低导通电阻Rds(on)确保在导通状态下功耗较低，从而提高系统效率。
该MOSFET具备较高的耐压能力，最大漏源电压可达650V，适合中高功率应用。
栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至20V之间，能够适应不同的驱动电路设计。
采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适用于常见的PCB安装方式。
此外，该器件具备良好的抗雪崩击穿能力，提高了在异常工作条件下的可靠性。
8N65/CJP08N65通常用于AC-DC电源、DC-DC转换器、马达驱动器以及LED照明驱动电路中。
该MOSFET常用于开关电源（SMPS）中作为主开关器件，实现高效的能量转换。
在DC-DC转换器中，8N65/CJP08N65用于升压（Boost）或降压（Buck）电路结构，实现电压调节功能。
适用于电机驱动和电源管理模块，提供稳定的功率控制。
也可用于LED照明驱动电路，特别是在恒流驱动方案中。
此外，该器件在工业控制、家电电源、UPS不间断电源等场合均有广泛应用。
FQP8N65C, IRF840, STP8NM65, 10N65, 8N60
