时间：2025/8/6 12:02:36
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IXFN27N80Q 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高功率、高频开关应用，如电源转换、电机控制、DC-DC 转换器、逆变器等。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻、高雪崩耐受能力和良好的热性能。其封装形式为 TO-247，适合高电流和高功率散热需求。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：800V
最大漏极电流(Id)：27A（Tc=25℃）
最大导通电阻(Rds(on))：0.26Ω（典型值）
最大栅极电压(Vgs)：±30V
最大功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-247
IXFN27N80Q 的最大特点之一是其出色的导通性能，Rds(on) 典型值为 0.26Ω，这使得在大电流工作状态下，导通损耗显著降低，从而提高整体效率。
该 MOSFET 采用先进的沟槽技术（Trench Technology），提高了器件的开关速度和导通性能，同时具备较低的开关损耗，适合用于高频开关应用。
此外，IXFN27N80Q 具有良好的雪崩耐受能力，能够承受瞬时过电压而不损坏，增强了系统的可靠性。
其 TO-247 封装具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计，同时便于安装散热片。
该器件还具备较高的 dv/dt 耐受能力，减少了因电压变化率过高而引起的误触发问题，适用于电磁干扰（EMI）较严重的环境。
在栅极驱动方面，IXFN27N80Q 支持 ±30V 的栅极电压，允许使用较宽范围的驱动电路，提高了设计灵活性。
该 MOSFET 的工作温度范围为 -55℃ 至 +150℃，适应多种严苛环境下的运行需求，如工业控制、电源系统和汽车电子等领域。
IXFN27N80Q 被广泛应用于各种高功率和高效率的电力电子系统中，如工业电源、开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动和逆变器等。
在开关电源中，IXFN27N80Q 用于主开关器件，能够实现高效率和小体积的设计，适用于服务器电源、通信电源和适配器等产品。
在电机控制和逆变器系统中，该 MOSFET 可作为功率开关，用于控制电机的转速和方向，适用于电动工具、工业自动化设备和电动汽车驱动系统。
此外，IXFN27N80Q 也可用于太阳能逆变器、储能系统和电池管理系统等新能源应用领域，提供稳定可靠的功率控制能力。
由于其优异的雪崩耐受性能，该器件还适用于负载突变或感性负载切换的场合，如继电器、变压器和电磁阀等。
在电源管理模块中，IXFN27N80Q 可用于实现负载切换、热插拔保护和冗余电源管理等功能。
IXFN28N80Q, IXFN25N80P, STF25N80, STF28N80
