时间：2025/8/6 12:41:59
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IXFN230N20T是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高功率开关应用。该器件采用了先进的平面技术，提供低导通电阻和快速开关特性，适用于如电源转换、电机控制和逆变器系统等领域。该MOSFET采用TO-247封装，具有良好的热管理和高电流承受能力。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：200V
最大漏极电流(Id)：230A
导通电阻(Rds(on))：10.5mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：240nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-247
最大功率耗散(Pd)：400W
IXFN230N20T具有多项优异特性，包括极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET具备快速开关特性，栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。其TO-247封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和集成到各种电路板中。该器件还具备较高的短路耐受能力，能够在恶劣工作条件下保持稳定运行。
在可靠性方面，IXFN230N20T采用了先进的制造工艺，确保了在高温和高应力环境下的长期稳定性。其工作温度范围宽达-55°C至175°C，适合在极端环境下使用。此外，该MOSFET具备较强的抗干扰能力，能够有效防止静电放电（ESD）和瞬态电压冲击，从而延长器件寿命并提高整体系统的可靠性。
IXFN230N20T广泛应用于多种高功率电子系统中，包括直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及工业自动化设备。在电机控制领域，该MOSFET可用于高性能H桥驱动电路，提供高效的功率切换。在电源管理系统中，它常用于大功率开关电源（SMPS）的主开关，以实现高效率和小体积设计。此外，该器件也适用于电动车和储能系统的功率转换模块，满足高可靠性和高效率的需求。
IXFN260N20T, IXFN200N20D2T4, IXFN240N15T
