时间：2025/8/6 12:26:25
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IXFN21N100Q 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于需要高电压和大电流处理能力的电源应用。该器件采用了先进的制造工艺，具备良好的导通特性和低开关损耗，适合用于高频开关电源、电机控制、太阳能逆变器以及工业自动化设备中。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：21A（连续）
最大漏极-源极电压（VDS）：1000V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：0.47Ω（最大）
最大工作温度：150℃
封装类型：TO-247
功率耗散（PD）：160W
IXFN21N100Q 采用了 IXYS 的专利技术，确保了在高电压和大电流条件下仍能保持稳定的工作性能。其主要特点包括：
? 高击穿电压（1000V）：该器件具备非常高的漏极-源极击穿电压，适用于高压电源转换系统，如太阳能逆变器、UPS 和工业电源。
? 低导通电阻：RDS(on) 最大为 0.47Ω，减少了导通损耗，提高了系统效率。
? 高可靠性：采用坚固的封装设计和优质材料，能够在恶劣的环境条件下长时间稳定运行。
? 快速开关特性：优化的结构设计使其具备较低的开关损耗，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。
? 过热保护：内置热保护功能，防止因过热而导致的损坏，提高系统稳定性。
此外，该 MOSFET 的封装形式为 TO-247，便于安装在散热器上，有助于热量的快速散发。
IXFN21N100Q 广泛应用于各种高电压和高功率场景，包括：
? 太阳能逆变器：用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，供家庭或电网使用。
? 工业电源：适用于各种工业设备的电源系统，如伺服驱动器、变频器等。
? 高频开关电源（SMPS）：因其低导通电阻和快速开关特性，适合用于高效率的电源转换系统。
? 电机控制：用于直流电机或步进电机的驱动控制，特别是在需要高电压的场合。
? 电池管理系统：适用于高压电池组的充放电管理电路。
? 电焊机和感应加热设备：作为高频开关元件，用于调节功率输出。
IXFN21N100P, IXFN20N100Q2, IXFN24N80Q, STF22N10NM5, FCP21N100Q
