IXFN200N06 时间：2025/8/6 7:32:50 阅读：8

IXFN200N06 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流和高频率的开关应用。这款 MOSFET 的设计使其能够在高功率密度的条件下运行，适用于如电源转换器、电动机控制、电池充电器以及 UPS（不间断电源）等应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）特性，可降低导通损耗并提高效率。

参数

类型：MOSFET，N 沟道
　　最大漏极电流 (Id)：200A
　　最大漏源电压 (Vds)：60V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：约 2.7mΩ（典型值）
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　功率耗散：320W（最大值）
　　输入电容 (Ciss)：约 4500pF
　　上升时间 (tr)：约 30ns
　　下降时间 (tf)：约 25ns

特性

IXFN200N06 具有多个关键特性，使其成为高功率应用的理想选择。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）可显著减少在高电流条件下的功率损耗，提高整体效率。其次，该 MOSFET 设计支持高频率操作，适用于高频开关电源和逆变器系统。此外，其 TO-263 封装提供了良好的热性能，确保在高负载条件下的稳定性。
　　该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，允许使用标准的 MOSFET 驱动器进行控制。同时，IXFN200N06 的快速开关特性（包括上升时间和下降时间）使其在高频开关应用中表现出色，减少开关损耗。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）确保了在极端环境下的可靠性。
　　为了提高耐用性和可靠性，IXFN200N06 还具备过热保护和短路耐受能力。这使得该器件在工业自动化、电源管理和电机控制等领域中具有广泛的应用前景。

应用

IXFN200N06 主要用于需要高电流和高频率操作的电源管理应用。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、UPS 不间断电源、电机驱动器以及太阳能逆变器。此外，该器件也可用于高频开关电源（SMPS）和焊接设备中。
　　在电源转换系统中，IXFN200N06 的低导通电阻特性可显著减少功率损耗，提高整体系统效率。在电机控制领域，其高电流承载能力和快速开关特性使其成为理想的功率开关元件。此外，该 MOSFET 在电动汽车（EV）充电器和储能系统中也有广泛应用。