IXFN1849 时间：2025/8/5 16:50:33 阅读：14

IXFN1849 是由 IXYS 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高功率应用场合。这款器件采用 TO-247 封装形式，具有较低的导通电阻和良好的热性能，适合用于电源转换器、逆变器、电机驱动以及各种高功率电子系统。IXFN1849 在设计上优化了开关性能，同时具备较高的耐用性和稳定性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：400V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流 (Id)：34A
　　导通电阻 (Rds(on))：0.055Ω
　　功率耗散 (Ptot)：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXFN1849 的主要特性之一是其低导通电阻 (Rds(on))，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。在高功率应用中，如开关电源 (SMPS) 和 DC-AC 逆变器中，这种低电阻特性可以显著减少能量损耗并提高整体性能。
　　此外，IXFN1849 具备较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达 34A，使其适用于需要大电流工作的电路设计。该器件还具有较高的耐压能力（400V），能够在高压环境中稳定运行。
　　其 TO-247 封装形式提供了良好的散热性能，确保在高功率操作下的热稳定性。此外，IXFN1849 的设计优化了开关特性，包括较快的开关速度和较低的开关损耗，这对于高频开关应用尤为重要。
　　该 MOSFET 还具备较高的短路耐受能力，能够在突发性过载或短路情况下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性和安全性。同时，其栅极驱动要求较低，兼容常见的驱动电路设计，降低了驱动电路的复杂性。

应用

IXFN1849 主要应用于各种高功率电子系统中，如开关电源 (SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制、UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其优异的导通和开关性能，该器件也常用于高频功率变换器和大功率音频放大器等场合。此外，IXFN1849 在电动车、电池管理系统和智能电网等新兴领域中也有广泛的应用前景。