时间：2025/8/6 1:18:35
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IXFN180N06 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电流、高效率的电源转换和功率控制应用设计，具有较低的导通电阻（Rds(on)）以及优异的热性能，使其在高功率密度和高频开关应用中表现出色。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大漏极电流（Id）：180A
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大 3.2mΩ（在 Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263（D2-Pak）、TO-247 等
IXFN180N06 的核心特性在于其极低的导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
该器件采用先进的沟槽技术制造，提供了卓越的热稳定性和高电流承载能力。
其栅极设计具有良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，适用于高频率开关操作。
封装形式多样，常见的 TO-263 和 TO-247 封装便于散热和安装，适用于各种高功率电路设计。
IXFN180N06 主要用于需要高电流和高效率的功率电子设备中，如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理模块、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车的电源系统等。
由于其低导通电阻和高电流能力，该器件在高功率密度设计中表现出色，广泛应用于工业自动化、通信电源、服务器电源以及电池管理系统等领域。
同时，其优异的热性能和可靠性也使其成为汽车电子系统中功率控制的理想选择，例如车载充电器、电动助力转向系统和电驱系统等。
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