IXFN15N100 时间：2025/8/6 10:37:08 阅读：5

IXFN15N100是一款由IXYS公司生产的高电压N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率、高频应用设计。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于电源转换、电机控制、逆变器和各种工业功率电子设备。其1000V的漏源极电压（VDS）使其能够适应高压系统的需求，同时提供较高的电流处理能力。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源极电压（VDS）：1000V
　　栅源极电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：15A（在TC=25°C时）
　　脉冲漏极电流（IDM）：60A
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C

特性

IXFN15N100的主要特性包括优异的导通性能和快速的开关速度，能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的平面技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)），通常在导通状态下能保持较低的压降，从而减少了功率损耗并提高了可靠性。
　　此外，IXFN15N100具备良好的热稳定性，能够在高温度环境下稳定工作。其高栅极电荷（Qg）特性使得在高频开关应用中，能够有效降低驱动损耗，提高系统的整体效率。
　　该MOSFET还具有较强的短路耐受能力，能够在极端工作条件下提供保护，防止器件因过载而损坏。这种能力使其非常适合用于需要高可靠性的工业应用中。
　　封装方面，IXFN15N100通常采用TO-247封装，具有良好的散热性能，能够有效将热量传导至散热片，确保在高功率运行时的稳定性。

应用

IXFN15N100广泛应用于各种高功率和高频电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、UPS系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压特性和良好的导通性能，该器件也常用于太阳能逆变器和电动汽车充电系统等新能源领域。
　　在电源管理方面，IXFN15N100可用于高效能的电源设计，如服务器电源、工业电源和电池充电器等。其优异的开关性能能够有效减少能量损耗，提高系统能效。
　　此外，在电机控制应用中，该MOSFET可用于高频PWM（脉宽调制）控制，实现电机的高效运行和精确控制。其良好的热稳定性和耐久性使其适用于需要长时间运行的工业设备。