类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 0.022Ω
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：约 3.5V
　　最大栅极电压：±20V
　　最大功耗（PD）：540W
　　封装类型：TO-263（表面贴装）

IXFN120N20P 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。此外，该器件的高电流承载能力（高达 120A）使其非常适合用于高功率应用。
　　该 MOSFET 采用 TO-263 表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于自动贴片工艺，提高了生产效率。其高耐压能力（200V）确保了在高压环境下的稳定运行。
　　在动态性能方面，IXFN120N20P 展现出较低的开关损耗，支持高频开关操作，适用于现代高效能电源转换系统。同时，其较高的热稳定性允许在高负载条件下保持良好的性能，减少热失效的风险。
　　另外，IXFN120N20P 的栅极驱动特性设计合理，易于驱动控制，适用于多种控制策略，包括脉宽调制（PWM）等。其 ±20V 的最大栅极电压允许使用标准驱动电路进行控制，提升了设计的灵活性。

IXFN120N20P 广泛应用于各种高功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件可以作为主开关元件，实现高效率的能量转换，减少热量损失。
　　在电机控制系统中，IXFN120N20P 可用于 H 桥结构，控制直流电机的正反转及速度调节，其高电流承载能力和快速响应特性能够满足复杂控制需求。
　　该器件也常用于逆变器电路，特别是在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中，IXFN120N20P 的高耐压和低导通电阻特性使其成为理想的功率开关元件。
　　此外，IXFN120N20P 还可用于高功率 LED 驱动器、工业自动化设备、电池管理系统（BMS）以及电动汽车充电系统等应用场景。其优异的电气性能和可靠的封装结构确保了在各种严苛工作条件下的长期稳定性。

IXFN120N20T, IXFN100N20P, IXFN150N20P