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IXFN100N65X2 发布时间 时间:2025/8/6 7:46:26 查看 阅读:13

IXFN100N65X2是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用了先进的平面技术,具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特性,非常适合用于DC-DC转换器、电源开关、逆变器以及电机控制等应用领域。该MOSFET采用TO-247封装,便于散热和集成。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:100A
  最大漏源电压:650V
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大80mΩ
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-247

特性

IXFN100N65X2具有多种显著的特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗,从而提高了整体能效。其次,该器件具备高耐压能力(650V),能够承受较大的电压应力,适用于高电压工作环境。
  此外,IXFN100N65X2具有高电流承载能力,最大漏极电流可达100A,适用于需要大电流输出的应用。其TO-247封装设计不仅提供了良好的热管理性能,还简化了PCB布局和散热器的安装。
  该MOSFET还具有良好的热稳定性和抗雪崩能力,能够在极端工作条件下保持可靠性。栅极驱动电压范围宽(±20V),兼容多种驱动电路,增强了设计的灵活性。同时,该器件的工作温度范围较广(-55°C至175°C),可在恶劣环境条件下稳定运行。

应用

IXFN100N65X2广泛应用于多种高功率电子系统中。它常用于DC-DC转换器和开关电源(SMPS)中,作为主开关器件,以实现高效的能量转换。在电机控制和驱动系统中,该MOSFET可用于PWM控制,提供精确的速度和扭矩调节。
  此外,IXFN100N65X2也适用于逆变器系统,例如太阳能逆变器和UPS(不间断电源)系统,用于将直流电转换为交流电。在工业自动化和电源管理系统中,该器件可用于高电流负载的开关控制。
  由于其高可靠性和耐久性,IXFN100N65X2也常用于汽车电子系统,如电动车辆的电池管理系统和充电电路。此外,在家电和消费类电子产品中,该MOSFET也可用于高功率负载的控制,如电热器、电磁炉等。

替代型号

IXFN100N65X2的替代型号包括Infineon Technologies的IPP100N65R3和STMicroelectronics的STP100N65M5。这些型号在性能参数和封装形式上与IXFN100N65X2相似,可以作为替代选择。

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IXFN100N65X2参数

  • 现有数量18现货
  • 价格1 : ¥279.20000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X2
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)78A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)30 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)183 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)10800 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)595W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型底座安装
  • 供应商器件封装SOT-227B
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC