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KTC5242 发布时间 时间:2025/12/28 15:11:46 查看 阅读:11

KTC5242是一款常用的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于各种高频率和高功率应用。KTC5242采用TO-220封装,便于安装和散热。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):连续:17A,脉冲:60A
  导通电阻(Rds(on)):典型值0.085Ω
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
  最大功耗(Pd):25W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-220

特性

KTC5242具备优异的导通性能和开关特性,适合高频应用。其低导通电阻(Rds(on))可有效降低功率损耗,提高系统效率。此外,该器件具有较高的热稳定性,能够在较高的温度环境下稳定工作。KTC5242的栅极驱动要求较低,适用于多种驱动电路设计。其TO-220封装提供了良好的散热性能,适用于需要较高功率处理能力的电路。
  KTC5242还具备良好的抗过载能力和短路保护特性,增强了器件在严苛环境下的可靠性。此外,其快速开关特性使其适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、马达控制和负载开关等应用。

应用

KTC5242常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、马达驱动、负载开关和高功率LED驱动电路中。此外,它也适用于工业控制设备、电动车控制系统以及各种需要高效功率管理的电子设备中。

替代型号

IRF540N, FDP55N50, FQP50N06L, STP16NF06, IRLZ44N

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