IXFN100N20 时间：2025/8/6 12:39:49 阅读：12

IXFN100N20 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流和高电压的应用场景。该器件采用了先进的平面技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高耐压能力，能够承受高达 200V 的漏源电压。其高可靠性和高效能特性使其广泛应用于工业电机控制、电源转换、逆变器、电池管理系统和电动汽车相关设备。

参数

漏源电压（VDS）：200V
　　漏极电流（ID）：100A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 13.5mΩ
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

IXFN100N20 采用了先进的平面 MOSFET 技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件能够承受高达 200V 的漏源电压，并支持高达 100A 的连续漏极电流，使其非常适合用于高功率应用。
　　此外，该 MOSFET 具有较高的热稳定性和良好的热阻特性，能够在高温环境下稳定运行。其封装形式通常为 TO-247，便于安装在散热器上以提高散热性能。
　　IXFN100N20 还具备较快的开关速度，适用于高频开关电路，如 DC-DC 转换器、同步整流器和 PWM 控制系统。其栅极驱动要求适中，兼容标准的 10V 或 15V 栅极驱动电路，便于与各种控制器配合使用。
　　该器件还具有良好的短路耐受能力，并在过载和故障条件下具有一定的鲁棒性。IXYS 提供了详细的数据手册和技术支持，便于工程师进行电路设计和优化。

应用

IXFN100N20 常用于高功率开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS 系统、工业电机驱动器、逆变器以及电动汽车的电池管理系统（BMS）。在这些应用中，它可作为主开关元件，实现高效的能量转换和控制。
　　在电机控制领域，该 MOSFET 可用于 H 桥驱动电路，实现电机的正反转控制。在太阳能逆变器和储能系统中，IXFN100N20 可用于高频 DC-AC 转换，提高系统整体效率。
　　此外，该器件也适用于各种高电流负载的开关控制，如电热元件、电磁阀和高功率 LED 驱动电路。