时间：2023/11/29 17:30:46
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类别：分离式半导体产品
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HiPerFET?
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：75A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：260nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4500pF @ 25V
功率 - 最大：300W
安装类型：底座安装
封装/外壳：TO-204，TO-3
包装：托盘
