时间：2025/11/3 8:30:10
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CY14B104NA-BA25XIT是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的串行F-RAM（铁电随机存取存储器）模块，结合了非易失性存储器和RAM的高性能特性。该器件基于先进的铁电技术，提供了卓越的读写耐久性和快速的数据写入能力，无需等待写周期完成，非常适合需要频繁数据记录和高可靠性的应用场合。CY14B104NA-BA25XIT集成了4兆位（512K × 8位）的F-RAM存储空间，采用标准的SPI（串行外设接口）通信协议，支持最高25 MHz的时钟频率，确保高速数据传输。该器件在断电后仍能保留数据长达10年以上，且具备高达10^14次的读写耐久性，远超传统EEPROM和闪存技术。其工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C），广泛用于工业控制、医疗设备、汽车电子和物联网终端等对数据完整性要求极高的场景。该封装采用小型化的8引脚SOIC封装，便于在空间受限的PCB设计中集成。
存储容量：4 Mbit
组织结构：512K × 8
接口类型：SPI
最大时钟频率：25 MHz
工作电压：2.7V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：8-SOIC
写入耐久性：10^14 次
数据保持时间：10 年（断电状态下）
访问时间：典型值 80 ns
待机电流：15 μA（典型值）
工作电流：5 mA（典型值，25 MHz）
CY14B104NA-BA25XIT的核心技术基于铁电存储单元（Ferroelectric Random Access Memory），利用铁电材料的极化状态来存储数据，这种物理机制使其具备无限次读写的能力，不会像传统EEPROM或Flash那样因擦写次数限制而导致寿命终结。每个存储单元可承受高达10^14次的读写操作，远远超过常规非易失性存储器的10^5至10^6次，极大提升了系统可靠性并降低了维护成本。此外，F-RAM无需写入延迟，所有写操作均为即时完成，避免了传统非易失性存储器常见的“写保护”或“写等待”问题，特别适合实时数据采集、日志记录和事件追踪等应用场景。
该器件支持标准SPI接口，兼容Mode (0,0) 和 Mode (1,1)，允许与广泛的微控制器无缝对接。其指令集包括读、写、写使能、写禁止、状态寄存器读/写等常用命令，使用方式与普通SPI SRAM类似，但具备非易失性优势。片内集成写保护机制，可通过硬件（WP引脚）和软件方式双重控制，防止意外写入或数据篡改。此外，器件具有优异的抗辐射和抗电磁干扰性能，在恶劣工业环境中表现出色。
CY14B104NA-BA25XIT还具备低功耗特性，待机模式下仅消耗约15μA电流，适合电池供电或能量受限的应用。同时，其快速访问时间和高吞吐量使得系统能够高效处理大量小数据包的频繁写入任务，例如传感器数据缓存、配置参数保存、运行日志记录等。由于无需备用电池即可实现非易失性存储，简化了系统设计并提高了长期稳定性。
CY14B104NA-BA25XIT广泛应用于对数据完整性、写入速度和耐久性有严苛要求的领域。在工业自动化系统中，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、数据采集模块和智能仪表中，用于实时记录工艺参数、故障日志和校准数据，确保即使突然断电也不会丢失关键信息。在医疗设备中，如病人监护仪、便携式诊断设备，可用于保存患者历史数据和设备配置信息，满足严格的合规性和可靠性标准。汽车电子领域中，该芯片可用于车载黑匣子、ECU参数存储和里程记录，支持长时间稳定运行。此外，在智能电表、燃气表等公用事业计量设备中，用于存储计费数据和事件记录，保障数据安全与防篡改。物联网边缘节点也常采用此类F-RAM作为本地缓存，配合无线传输实现高效、低功耗的数据上报机制。由于其无须擦除、即时写入的特性，特别适用于需要每秒多次写操作的场景，显著优于传统非易失性存储方案。
FM25V05-GTR
MB85RS5MT
CY14B104QI-BA25XI
