时间：2025/9/14 19:44:25
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BUK9M9R1-40EX是一款由Nexperia（安世半导体）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用TISON（小型双扁平无引脚）封装技术，适用于高密度电源应用。该器件设计用于在高效率和高可靠性要求的环境中工作，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
漏极电流（ID）：25A（在VGS=10V时）
导通电阻（RDS(on)）：9.5mΩ（最大值，VGS=10V）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TISON（SOT1220）
BUK9M9R1-40EX具备极低的导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。
其TISON封装提供较小的占板面积和较低的高度，非常适合空间受限的应用设计。
该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。
内置的ESD保护功能提高了器件在制造和使用过程中的抗静电能力。
该器件符合RoHS标准，支持无铅工艺，适用于环保要求较高的产品设计。
BUK9M9R1-40EX适用于多种电源管理场合，包括同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、DC-DC降压/升压转换器、服务器电源、工业自动化设备和电动工具等。
其高效率和小尺寸特性使其成为设计紧凑型高功率密度系统的理想选择。
此外，它也适用于汽车电子应用，如车载充电器（OBC）和电池管理系统中的功率开关。
IPD90N06S4-03, FDS6680, BSC010N04LS
