类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1000V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：11A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.25Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（PD）：125W

IXFM11N100 具备一系列优异的电气和热性能，适用于高电压和高功率应用场景。其高耐压能力（1000V VDS）使其在高压电源和逆变器中表现出色，同时漏极电流可达 11A，满足中高功率应用的需求。该器件的导通电阻较低，典型值为 1.25Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　此外，IXFM11N100 采用了先进的平面技术，确保了良好的稳定性和可靠性。其 TO-247 封装提供了良好的散热性能，适合高功率密度设计。该器件的栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，增强了设计灵活性。
　　在可靠性方面，IXFM11N100 具备较强的短路和过载承受能力，能够在严苛的工作环境下稳定运行。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，适用于工业级和汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场景。

IXFM11N100 主要应用于高电压和高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、直流-交流逆变器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）和工业自动化设备。由于其高耐压和良好的导通性能，该器件也常用于光伏逆变器、不间断电源（UPS）和电能质量调节设备中。
　　在消费类电子产品中，IXFM11N100 可用于高功率 LED 照明系统、智能家电和大功率充电器。此外，该 MOSFET 在汽车电子领域也有广泛应用，如车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器和电动工具控制电路中，满足对高可靠性和高效率的需求。

STF11N100, FCP11N100, IRFHM11N100