时间：2025/7/28 11:01:51
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IXFL38N100Q2 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有高耐压、低导通电阻和高可靠性等特性，适用于功率转换和电机控制等高要求的应用场景。该器件采用 TO-247 封装，具备良好的热性能和机械稳定性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1000V
最大漏极电流(Id)：38A（25℃）
最大栅源电压(Vgs)：±30V
导通电阻(Rds(on))：典型值为 0.13Ω
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-247
IXFL38N100Q2 MOSFET 具备多项高性能特性，使其适用于各种功率电子系统。首先，其最大漏源电压高达 1000V，能够满足高压应用场景的耐压需求，如开关电源（SMPS）、工业电机驱动和太阳能逆变器等。其次，该器件的导通电阻 Rds(on) 典型值为 0.13Ω，较低的导通电阻可以有效减少导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 支持高达 ±30V 的栅源电压，增强了其在高噪声环境中的抗干扰能力。
在热性能方面，TO-247 封装提供了良好的散热能力，确保器件在高负载下依然能够稳定工作。其工作温度范围为 -55℃ 至 +150℃，适应各种严苛的工业环境。该器件还具备良好的短路耐受能力和雪崩能量承受能力，进一步提升了系统的可靠性和稳定性。
由于其优异的电气性能和结构设计，IXFL38N100Q2 在高频开关应用中表现良好，适用于诸如DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路、UPS系统等对性能要求较高的场景。
IXFL38N100Q2 主要应用于需要高耐压和高效率的功率电子设备中。常见用途包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动器、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。其高耐压能力和低导通电阻特性也使其适用于高频功率转换器和PFC电路，有助于提高整体系统的效率和稳定性。
在开关电源中，该器件可用于主开关或同步整流器，提高转换效率并减少发热。在太阳能逆变器中，IXFL38N100Q2 可用于DC-AC转换部分，确保高效稳定的电能转换。此外，该MOSFET还可用于电动工具、电动车控制器等需要大电流和高电压的电机控制应用中。
IXFH38N100Q2, IRF3808, FCP38N100Q2, STF38N100M5
