类型：N 沟道 MOSFET
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：8A
　　导通电阻 RDS(on)：最大 23mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　阈值电压（VGS(th)）：1V 至 2.5V
　　输入电容（Ciss）：约 1100pF @ VDS = 15V

ZXTN19060CGTA 具备多项优异特性，使其适用于各种高性能功率应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该 MOSFET 支持高达 8A 的连续漏极电流，并具备 60V 的漏源电压额定值，适用于中高功率开关应用。此外，ZXTN19060CGTA 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有出色的热稳定性和高频开关能力，有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的栅源电压，便于与各种驱动电路兼容。其阈值电压范围为 1V 至 2.5V，确保了可靠的开关控制。封装方面，ZXTN19060CGTA 采用 TSOP 封装，具备良好的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型 PCB 设计。同时，该器件具有良好的热保护性能，可在高温环境下稳定运行，提升系统可靠性。
　　ZXTN19060CGTA 的设计注重稳定性和耐用性，适用于各种恶劣工作环境。其高抗静电能力（ESD）和抗浪涌能力使其在工业控制、汽车电子和消费类电子产品中均有广泛应用。此外，该 MOSFET 的制造符合 RoHS 环保标准，支持无铅焊接工艺，符合现代电子产品的环保要求。

ZXTN19060CGTA 广泛应用于多种功率电子系统中。在电源管理领域，该器件常用于同步整流、DC-DC 转换器和负载开关电路，以提高电源转换效率。在电机控制应用中，ZXTN19060CGTA 可作为 H 桥结构中的开关元件，用于控制直流电机或步进电机的方向和速度。此外，该 MOSFET 还可用于 LED 驱动器、电池管理系统（BMS）以及各类便携式设备中的电源开关电路。
　　在汽车电子领域，ZXTN19060CGTA 可用于车载电源转换系统、车载充电器、LED 照明模块以及电动助力转向系统等应用。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够在汽车严苛的工作环境中稳定运行。在工业自动化系统中，该器件可用于 PLC 控制模块、工业电源和智能电表等设备，以实现高效的电能管理和信号控制。
　　消费类电子产品方面，ZXTN19060CGTA 适用于笔记本电脑、平板电脑、智能音箱、无线充电器和各类智能家电的电源管理模块，提供高效、稳定的功率控制能力。

ZXTN19060CFH、ZXTN19060CGTC、SiSS64DN、IRF7486、FDMS86101、FDMS86103