类别:分离式半导体产品
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:HiPerFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:22 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:90A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:190nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :6800pF @ 25V
功率 - 最大:500W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-264AA
包装:管件