IXFK64N60 时间：2025/8/6 1:36:54 阅读：25

IXFK64N60是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流应用，如电源转换器、电机控制和工业自动化系统。该器件具备低导通电阻、高可靠性和卓越的热性能，适用于需要高效能和高稳定性的应用场景。

参数

类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏极电流：64A
　　最大漏极-源极电压：600V
　　导通电阻(RDS(on))：0.165Ω
　　栅极电压范围：±30V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXFK64N60具有低导通电阻，从而减少了功率损耗并提高了效率，其导通电阻仅为0.165Ω，使得在高电流条件下也能保持较低的功率损耗。
　　此外，该MOSFET具备高击穿电压（600V），能够承受高电压环境，确保在高压应用中的稳定性。
　　其高电流承载能力（64A）使其适用于大功率应用，例如工业电机驱动和高功率开关电源。
　　该器件的热阻较低，能够在高温环境下稳定工作，提高了整体的可靠性和寿命。
　　IXFK64N60采用TO-247封装，便于散热设计，同时兼容常见的功率器件安装方式，适用于各种高功率电子设备的设计。

应用

IXFK64N60广泛应用于电力电子系统，如开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）系统以及工业自动化设备。
　　在开关电源中，该MOSFET可用于高效能的DC-DC转换器和AC-DC整流器，提高电源转换效率。
　　在电机控制领域，该器件可用于高功率电机驱动器，提供稳定的电流控制和高效能转换。
　　此外，IXFK64N60还可用于太阳能逆变器和电动车充电系统等新能源相关应用，支持高效能和高可靠性的电力转换需求。
　　由于其高耐压和高电流特性，该器件也常用于需要高稳定性的工业控制系统，如自动化生产线和高功率测试设备。