时间：2025/12/27 12:03:44
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B88069X8680B502 是由 EPCOS（现属于 TDK 集团）生产的一款高性能多层片式陶瓷电感器（Multilayer Chip Inductor），广泛应用于高频信号处理和射频电路中。该器件采用先进的陶瓷材料与烧结工艺制造，具有高Q值、低直流电阻（DCR）以及良好的温度稳定性，适合用于对信号完整性要求较高的通信设备中。其小型化封装设计符合现代电子产品向轻薄短小发展的趋势，能够在有限的PCB空间内实现高效的电磁能量存储与滤波功能。该电感器特别适用于移动通信终端如智能手机、平板电脑、无线模块等设备中的射频匹配网络、LC滤波器、振荡电路及阻抗匹配电路。由于其出色的频率响应特性和稳定的电气性能，B88069X8680B502在GHz频段范围内表现出优异的工作能力，是高频模拟前端设计中的关键元件之一。此外，该产品符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色电子制造流程。
产品类型：多层片式陶瓷电感器
电感值：8.2nH
允许偏差：±0.3nH
自谐振频率（SRF）：≥11GHz
Q值（典型）：≥45 @ 1GHz
额定电流（Irms）：100mA
直流电阻（DCR）：≤0.35Ω
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
存储温度范围：-55°C 至 +155°C
封装尺寸：0603（1608公制）
焊接方式：表面贴装（SMT）
端电极结构：Ni/Sn镀层
耐焊热性：通过IEC 60068-2-57标准测试
磁屏蔽特性：无磁屏蔽（开放式磁路）
B88069X8680B502 多层片式陶瓷电感器具备卓越的高频性能表现，这主要得益于其精密的陶瓷介质材料与多层交叉绕组结构设计。该结构有效降低了寄生电容并提升了自谐振频率（SRF），使其可在高达11GHz以上的频率下稳定工作，从而确保在高频应用中仍能保持良好的电感特性。其高Q值（在1GHz时不低于45）显著减少了信号传输过程中的能量损耗，提高了射频电路的整体效率，尤其适用于低噪声放大器（LNA）、功率放大器输出匹配网络以及高频滤波器等对品质因数敏感的应用场景。
该电感器采用高温共烧陶瓷（HTCC）工艺制造，具有优异的机械强度和热稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温范围内保持参数一致性，避免因环境变化导致电路失配问题。同时，其低直流电阻（DCR ≤ 0.35Ω）有助于减少功率损耗，提升系统能效，延长便携式设备的电池寿命。尽管为非屏蔽型结构，但由于其紧凑的物理布局和优化的磁场分布，对外部干扰的敏感度较低，在合理布局下可满足大多数EMI控制需求。
此外，B88069X8680B502 支持自动化贴片生产，兼容标准SMT工艺流程，包括回流焊接，且经过严格的老化与可靠性测试，确保在大批量应用中的长期稳定性与良率。其0603小型封装（1.6 × 0.8mm）极大地节省了PCB空间，适合高密度集成设计。整体而言，这款电感器结合了高频特性、尺寸优势与制造兼容性，是现代无线通信模块中不可或缺的关键被动元件之一。
B88069X8680B502 主要应用于高频射频电路设计中，特别是在工作频率位于UHF至微波频段（如2.4GHz、5GHz、6GHz Wi-Fi频段以及Sub-6GHz 5G通信）的无线通信设备中发挥重要作用。它常被用于智能手机、平板电脑、物联网模块、蓝牙/Wi-Fi组合芯片模组、射频识别（RFID）系统以及无线传感器网络中的阻抗匹配网络，以实现发射机与接收机前端之间的最大功率传输。此外，该电感也广泛用于构建LC滤波器，用于抑制带外干扰信号，提高信噪比和系统选择性。
在射频功率放大器（PA）输出端或低噪声放大器（LNA）输入端的匹配电路中，B88069X8680B502 凭借其精确的电感值（8.2nH ±0.3nH）和高Q值，能够有效调节复数阻抗，确保信号链路的最佳匹配状态，从而提升增益、降低反射损耗并改善整体射频性能。该器件还可用于压控振荡器（VCO）和锁相环（PLL）电路中作为谐振元件，帮助生成稳定的高频本振信号。
由于其小型化封装和高可靠性，该电感同样适用于车载通信模块、GPS导航系统、毫米波雷达前端以及工业无线网关等严苛环境中。在这些应用中，不仅要求元器件具备出色的电气性能，还需经受住振动、湿度和温度循环等复杂工况考验，而B88069X8680B502 正是为此类高要求场景所设计的理想选择。
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