DMP2040USD是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Diodes公司生产。该器件采用DFN5x6封装,具有低导通电阻和高电流处理能力,适合用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等应用领域。其出色的电气特性和紧凑的封装形式使其成为便携式电子设备的理想选择。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:19A
导通电阻:1.2mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:2.5W
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:DFN5x6
DMP2040USD具备非常低的导通电阻,能够有效减少功率损耗,提升系统效率。同时,它支持较高的连续漏极电流,保证在大负载条件下依然能稳定运行。
器件的热性能优秀,能够在高温环境下保持可靠性。此外,由于采用了DFN5x6封装,体积小巧且易于集成到空间受限的设计中。
其快速开关速度降低了开关损耗,适用于高频电路应用。整体而言,这款MOSFET以高性能和高可靠性著称,非常适合对效率和空间有严格要求的应用场景。
DMP2040USD广泛应用于消费类电子产品、工业设备及通信领域。常见的应用场景包括:
- 开关电源中的同步整流
- DC-DC转换器的高端或低端开关
- 负载开关控制
- 电池管理系统中的保护电路
- 电机驱动中的功率级切换
凭借其卓越的性能,此器件还可用于汽车电子领域的某些非关键部位。
DMP2040UFG,DMP2040USP