时间：2025/8/5 23:25:46
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IXFK64N50 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用了先进的平面功率 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能。IXFK64N50 主要用于电源转换、电机控制、工业自动化、DC-DC 转换器、太阳能逆变器以及各种高功率电子系统中。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：500V
最大漏极电流 Id（连续）：64A
导通电阻 Rds(on)：典型值 0.115Ω（最大 0.145Ω）
栅极电荷 Qg：典型值 140nC
功率耗散（Pd）：400W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247AC
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
最大工作频率：适用于高频开关应用
栅极电压 Vgs：±30V
IXFK64N50 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其 500V 的漏源电压额定值使其适用于高电压应用，而 64A 的连续漏极电流能力则支持高功率负载的驱动。该器件的封装形式为 TO-247AC，这种封装具有良好的热性能和机械稳定性，便于安装在散热器上以提高散热效率。
此外，IXFK64N50 的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗并提高开关速度，从而在高频应用中表现出色。它具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于工业级和高可靠性应用场景。该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在突发电压或电流冲击下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性。
IXFK64N50 的栅极驱动电压范围较宽，可在 ±30V 内正常工作，提供了较大的设计灵活性。其内部结构设计优化，确保了在高电压和大电流条件下的稳定运行。该器件的封装符合 RoHS 标准，适用于环保要求较高的应用。
IXFK64N50 被广泛应用于各种高功率电子设备中，如工业电源、开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）等。在这些应用中，该器件能够提供高效的功率转换和稳定的性能。在工业自动化和控制系统中，IXFK64N50 可用于驱动高功率负载，如直流电机、电磁阀和加热元件等。此外，该器件还可用于高频开关应用，如射频功率放大器和感应加热系统。由于其高耐压和高电流能力，IXFK64N50 在新能源汽车、储能系统和智能电网等领域也有广泛的应用。
IXFK64N50P, IXTP64N50P, IRFP4668, FCP64N50
