类型：GaN功率晶体管
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on))：150mΩ
　　栅极电压范围：-4V至+6V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：表面贴装（SMD）
　　最大功耗：120W

GW5BMR30K05采用了先进的氮化镓半导体技术，具备优异的高频开关性能和低导通损耗特性。该器件的导通电阻仅为150mΩ，在高电流条件下仍能保持较低的导通压降，从而有效提高电源转换效率。此外，由于GaN材料的高电子迁移率，该晶体管的开关速度远高于传统硅基器件，有助于减小功率转换器的体积和重量。其栅极驱动电压范围较宽，支持-4V至+6V之间的稳定工作，适用于多种驱动电路配置。GW5BMR30K05还具备良好的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的温度范围内可靠运行，适应各种严苛的工作环境。此外，该器件具有极低的输出电容和反向恢复损耗，特别适用于谐振转换器和软开关拓扑结构，能够显著降低开关损耗并提升整体系统效率。
　　GW5BMR30K05的封装设计优化了热管理和电气性能，采用表面贴装（SMD）封装形式，有助于提高组装效率和散热性能。这种封装方式使得器件更易于集成到高密度电源模块中，满足现代电力电子系统对小型化和高可靠性的需求。

GW5BMR30K05广泛应用于需要高效能和高功率密度的电力电子系统中。其主要应用包括服务器电源、通信电源、电动汽车充电系统、可再生能源逆变器以及工业电源设备。由于其优异的高频开关性能，该器件特别适用于LLC谐振转换器、图腾柱PFC（功率因数校正）电路以及同步整流电路等拓扑结构。此外，GW5BMR30K05也适用于无线充电系统、激光驱动电源和测试测量设备等需要高效能功率开关的场合。

GS-065-150-1-00222, EPC2218