时间：2025/7/25 9:08:40
阅读：32
IXFK52N30Q 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高电流和高电压能力的功率应用。该器件采用了先进的平面 DMOS 技术，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。IXFK52N30Q 特别适用于电源转换、马达控制、逆变器和不间断电源（UPS）等高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：52A
最大漏源电压（VDS）：300V
导通电阻（RDS(on)）：0.055Ω（最大值）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-247
IXFK52N30Q MOSFET 具备一系列优异的电气特性和物理特性。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在大电流工作条件下，器件的导通损耗最小化，从而提高了整体效率并减少了散热需求。该器件的高耐压能力（VDS=300V）使其适用于高压电源转换应用，例如太阳能逆变器、DC-AC 转换器和电机驱动器。
此外，IXFK52N30Q 采用了 TO-247 封装，具有良好的热管理和机械稳定性，能够有效散热并适应高温工作环境。该 MOSFET 还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统的动态响应。内置的体二极管（Body Diode）提供了反向电流保护功能，确保在感性负载切换过程中器件的安全运行。
IXFK52N30Q 主要用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：电源转换器（如DC-DC升压/降压转换器、AC-DC整流器）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、马达控制电路、工业自动化设备和电动车辆的功率管理系统。由于其出色的性能和可靠性，该器件也常用于需要高效率和高稳定性的开关电源（SMPS）和变频器系统。
IXFH52N30Q, IXFH50N30S, IRFP460LC, STW20NK50Z
