S-LMBT2907ALT1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极性晶体管(BJT),属于PNP型晶体管。该器件专为高频率和开关应用设计,采用SOT-23小外形封装,适合在需要紧凑设计的电子电路中使用。其高可靠性、良好的热稳定性和优异的开关性能使其广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
类型:PNP型双极性晶体管
集电极-发射极电压(VCEO):-40V
集电极电流(IC):最大-200mA
功耗(PD):300mW
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOT-23
S-LMBT2907ALT1G晶体管具有多项优异的电气和物理特性。其最大集电极-发射极电压为-40V,集电极电流可达-200mA,使其适用于中等功率的开关和放大电路。该晶体管的增益带宽积(fT)高达100MHz,适合用于高频放大和高速开关应用。
此外,该器件采用了先进的硅外延平面技术,具有良好的热稳定性和低饱和压降(VCE(sat)),在高电流条件下仍能保持高效能。SOT-23封装不仅体积小巧,便于在PCB上布局,而且具备良好的散热性能,能够满足高密度电子产品的设计需求。
其工作温度范围覆盖-55°C至+150°C,确保了在极端环境下的稳定运行,特别适合用于汽车电子、工业控制系统等对可靠性要求较高的应用场景。此外,该晶体管符合RoHS环保标准,无铅封装,符合现代电子产品的绿色制造要求。
S-LMBT2907ALT1G晶体管广泛应用于多个电子领域。在消费电子产品中,常用于音频放大器、逻辑电平转换以及电源管理电路中的开关元件。在工业控制系统中,它被用于继电器驱动、传感器接口电路以及直流电机控制电路。
在汽车电子方面,该晶体管适用于车身控制模块、LED照明驱动电路以及车载娱乐系统的音频放大模块。由于其高频性能优异,也常用于射频(RF)前端电路中的开关和放大器设计。
此外,该晶体管还适用于低噪声前置放大器、数字逻辑电路的电平转换、电池供电设备的电源开关等应用,是设计工程师在多种中低功率电路设计中的理想选择。
BC807-25, PN2907A, 2N3906