时间：2025/8/5 23:52:22
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IXFK52N100X是一款由Littelfuse（前身为IXYS）制造的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有1000V的漏源击穿电压（Vds）和高达52A的连续漏极电流（Id），适用于工业电源、电机控制、逆变器和UPS系统等应用。该MOSFET采用TO-264封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1000V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大连续漏极电流(Id)：52A
导通电阻(Rds(on))：0.28Ω（典型值）
功率耗散(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-264
IXFK52N100X具备多项高性能特性，首先其1000V的漏源击穿电压使其适用于高压系统设计，如工业电源、太阳能逆变器和电机驱动器。其次，该MOSFET的最大连续漏极电流为52A，能够支持高功率负载的运行。导通电阻Rds(on)的典型值为0.28Ω，确保在高电流工作条件下具有较低的传导损耗，提高系统效率。
此外，该器件采用了先进的平面技术，具有较高的稳定性和耐用性。TO-264封装形式提供了良好的散热性能，有助于延长器件的使用寿命并提高系统的可靠性。IXFK52N100X还具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，适用于高频操作场景。
在保护特性方面，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护作用。此外，其栅极驱动电压范围较宽，通常可在+10V至+20V之间工作，使得其与多种驱动电路兼容。
IXFK52N100X主要用于高功率和高压电子系统中，例如工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器和电焊设备。由于其高耐压能力和大电流承载能力，该器件也常用于电力电子变换器，如DC-DC转换器、AC-DC整流器以及功率因数校正（PFC）电路。
在电机控制应用中，IXFK52N100X可用于驱动交流感应电机、无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM），实现高效、可靠的电机变频控制。在UPS系统中，该MOSFET可作为主开关器件，实现直流到交流的高效逆变功能。
此外，该器件还适用于高能效电源适配器、LED照明驱动电源以及电动汽车充电设备中的功率开关部分。其优异的导通特性和快速开关能力，使其成为高效率和高可靠性电源系统设计的重要元件。
IXFK56N100X, IXFK48N100X, IXFH52N100X
