时间：2025/12/26 18:43:46
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IXFK50N50是一款由Littelfuse公司生产的高功率、高电压的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率和高可靠性应用设计。该器件采用先进的平面硅栅极工艺技术制造，具备优良的导通电阻与栅极电荷平衡特性，使其在高功率开关应用中表现出色。其额定电压为500V，连续漏极电流可达50A，适合用于需要处理高电压和大电流的工业、电源和电机控制领域。
IXFK50N50通常封装在TO-247形式中，这种封装具有良好的热性能和机械稳定性，适用于高功率密度设计。该MOSFET的结构优化了雪崩能量耐受能力，增强了在感性负载开关过程中的鲁棒性，同时具备低门极驱动需求，便于与标准驱动电路配合使用。此外，器件还内置快速体二极管，有助于在桥式拓扑或反激式转换器中实现高效的续流路径。
由于其优异的电气特性和热管理能力，IXFK50N50广泛应用于开关电源（SMPS）、逆变器、DC-DC转换器、电机驱动器以及焊接设备等高功率电子系统中。它能够在高温环境下稳定运行，并支持并联使用以进一步提升系统功率处理能力。
型号：IXFK50N50
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500 V
最大漏极电流（Id）：50 A
最大脉冲漏极电流（Idm）：200 A
最大栅源电压（Vgs）：±30 V
导通电阻（Rds(on)）：0.085 Ω @ Vgs=10V
阈值电压（Vth）：4 V ~ 6 V
输入电容（Ciss）：5000 pF
输出电容（Coss）：1200 pF
反向恢复时间（trr）：95 ns
最大功耗（Pd）：350 W
工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
封装形式：TO-247
IXFK50N50具备出色的电气和热性能，是高功率MOSFET中的代表性产品之一。其核心优势在于在500V高压条件下仍能保持较低的导通电阻（典型值为85mΩ），这显著降低了导通损耗，提升了整体系统效率。这一特性在高功率开关电源和DC-DC变换器中尤为重要，能够有效减少发热，提高能源利用率。
该器件采用了优化的平面栅极结构，确保了良好的栅极控制能力和稳定的开关行为。其栅极电荷（Qg）相对较低，典型值约为180nC，这意味着驱动电路所需的驱动功率较小，可以使用成本较低的驱动IC实现高效控制，从而降低整个系统的复杂度和成本。
在动态性能方面，IXFK50N50展现出快速的开关速度，输入电容和输出电荷的平衡设计减少了开关过程中的能量损耗。其反向恢复时间较短（约95ns），配合快速体二极管，在硬开关或谐振拓扑中可有效抑制电压尖峰，提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。
此外，该MOSFET具有较强的雪崩耐量（Avalanche Energy Rating），能够在瞬态过压或感性负载突变时承受一定的能量冲击而不损坏，提高了系统在异常工况下的可靠性。其TO-247封装提供了优良的散热路径，热阻（RθJC）低至0.36°C/W，便于通过散热片将热量迅速传导出去，适合长时间高负载运行。
器件还具备良好的抗di/dt和dv/dt能力，减少了误触发的风险，尤其适用于高频开关场合。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能在恶劣工业环境中稳定工作。整体而言，IXFK50N50在性能、可靠性和热管理之间实现了良好平衡，是高功率电力电子设计中的理想选择。
IXFK50N50广泛应用于各类高功率电力电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，它常用于有源功率因数校正（PFC）级和主功率变换级，特别是在大功率AC-DC电源模块中，能够高效地处理数百瓦至数千瓦的功率等级。
在逆变器系统中，如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和电机驱动逆变桥臂中，IXFK50N50因其高耐压和大电流能力，能够胜任直流到交流的高效转换任务。其快速开关特性有助于实现高频调制，减小滤波元件体积，提升系统功率密度。
该器件也常见于工业电机控制设备中，作为功率开关元件用于直流电机或通用变频器的斩波控制电路。其低导通电阻和高可靠性确保了长时间运行下的稳定性能。
此外，在电焊机、感应加热装置和高能脉冲电源等特殊工业设备中，IXFK50N50凭借其强健的雪崩能力和热稳定性，能够在极端负载条件下可靠工作。
在DC-DC升压或降压转换器中，尤其是在非隔离式拓扑如Boost或Buck-Boost结构中，该MOSFET可用于主开关管，实现高效的电压变换。其集成的体二极管在续流阶段提供低损耗路径，进一步优化系统效率。
由于其TO-247封装易于安装散热器，IXFK50N50特别适合需要手动维护或模块化设计的工业应用场景。总体而言，其应用覆盖了从可再生能源到工业自动化等多个关键领域。
IXTH50N50, IXFH50N50, FGA60N50, IRFP460LC
