类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　漏极电流（ID）：48A（25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.135Ω（最大）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247AC
　　功耗（PD）：300W
　　漏极-源极击穿电压：500V
　　栅极电荷（Qg）：80nC（典型）
　　上升时间（tr）：65ns（典型）
　　下降时间（tf）：50ns（典型）

IXFK48N50S 具备一系列优异的电气特性和设计优势。首先，其高漏源电压能力（500V）使其适用于中高功率应用，如开关电源和逆变器系统。其次，该器件的最大导通电阻仅为 0.135Ω，显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率。此外，其最大漏极电流为 48A，在 25°C 环境温度下，能够支持高电流负载，满足高性能电源系统的需求。
　　该 MOSFET 采用 TO-247AC 封装，具备良好的散热性能，能够有效降低工作温度，提高器件的可靠性。其栅极电荷（Qg）为 80nC，保证了较快的开关速度，同时降低了开关损耗。此外，该器件的上升时间和下降时间分别为 65ns 和 50ns，进一步优化了高频开关性能，使其适用于 PWM 控制系统。
　　IXFK48N50S 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应各种恶劣环境，确保长期稳定运行。此外，该器件的栅极电压容限为 ±20V，提供更宽的驱动范围，增强与不同驱动电路的兼容性。

IXFK48N50S 广泛应用于多个高性能电力电子领域，例如工业电源、不间断电源（UPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制以及太阳能逆变系统。此外，该器件也适用于需要高功率密度和高效率的开关电源系统，包括服务器电源、电池充电系统和焊接设备。由于其出色的开关特性和高耐压能力，IXFK48N50S 在高频电源转换器和 PFC（功率因数校正）电路中也表现出色。

IXFK48N50P, IRFP460, STF20N50M, FDPF48N50