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HY57V651620BLTC-6 发布时间 时间:2025/9/1 13:28:20 查看 阅读:6

HY57V651620BLTC-6是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于SDRAM类别,其主要设计用于提供高性能的存储解决方案,适用于需要高速数据访问的设备。这款芯片的容量为64MB,组织结构为16M x 4,支持同步操作,使其在数据传输时具有更高的效率。

参数

类型:DRAM
  容量:64MB
  组织结构:16M x 4
  电压:3.3V
  封装:TSOP
  时钟频率:166MHz
  访问时间:5.4ns
  工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)

特性

HY57V651620BLTC-6具有多种显著的特性,使其在工业和消费类应用中表现优异。首先,其同步动态随机存取存储器(SDRAM)架构支持高速数据访问,能够满足高性能系统对存储器带宽的需求。该芯片的工作频率可达166MHz,这使得其能够提供高速的数据传输速率,从而提高系统的整体性能。此外,其5.4ns的访问时间确保了快速响应,适用于对时序要求较高的应用。
  该芯片采用3.3V供电,能够在保证高性能的同时降低功耗,适用于对能耗敏感的系统。其TSOP(薄型小外形封装)封装形式不仅节省空间,而且具有良好的散热性能,适合在紧凑型设备中使用。此外,该芯片的工作温度范围为工业级(-40°C 至 +85°C),使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行,适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等场景。
  HY57V651620BLTC-6的16M x 4组织结构提供了64MB的存储容量,适用于需要较大内存缓冲的应用。其同步接口设计能够与系统时钟同步工作,减少等待时间,提升数据传输效率。这些特性使其成为一种可靠且高效的存储解决方案,适用于多种高性能存储需求。

应用

该芯片通常用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备以及消费类电子产品中,适用于需要高性能存储的场合。

替代型号

IS42S16400J-6T, MT48LC16M16A2B4-6A, KM416S5400CT-6

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