时间：2025/7/23 13:41:02
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IXFK48N50Q是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高功率和高频率的开关电源、电机控制、逆变器和其他电力电子设备中。该器件采用TO-247封装，具有较低的导通电阻和优异的热性能，适合在高电流和高温环境下运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500V
最大漏极电流（ID）：48A（在TC=25℃时）
导通电阻（RDS(on)）：0.125Ω（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：4V（典型值）
最大功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-247
IXFK48N50Q具有多个关键特性，使其在功率应用中表现卓越。首先，它的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该MOSFET具有高耐压能力，漏源电压最大可达500V，适用于高电压应用场景。此外，其高电流承载能力和优异的热稳定性使其在高温环境下依然能保持稳定运行。
该器件采用了先进的平面DMOS结构，提供了卓越的开关性能和耐用性。同时，TO-247封装有助于提高散热效率，确保在高功率操作下的可靠性。IXFK48N50Q还具有快速开关速度，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
为了确保在各种工作条件下的稳定运行，IXFK48N50Q具备过热保护和抗雪崩击穿能力。这些特性使其在工业电源、电机驱动和可再生能源系统中具有广泛的应用前景。
IXFK48N50Q常用于各种高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机控制器、逆变器、UPS系统以及太阳能逆变器等。由于其高耐压、低导通电阻和高电流能力，该MOSFET在需要高效能和高可靠性的应用中表现出色。
IXFK48N50P、IXTP48N50Q、STF10N50M5、IRFP460LC、FDPF48N50
