IXFK48N50 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高电压和高电流能力的电源转换系统中。该器件采用了先进的平面 DMOS 技术,提供了出色的导通和开关性能。IXFK48N50 特别适用于如电源供应器、电机控制、UPS(不间断电源)、DC-DC 转换器以及各种工业自动化系统等高功率场合。该器件具有较高的耐用性和可靠性,适用于严苛的工作环境。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流(ID):48A(Tc=25℃)
最大漏源电压(VDS):500V
最大栅源电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):最大 0.14Ω(在 VGS=10V 时)
功率耗散(PD):300W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:TO-247AC
栅极电荷(Qg):典型值 73nC(在 10V 驱动电压下)
输入电容(Ciss):典型值 1600pF
漏源击穿电压(BVDSS):500V
IXFK48N50 的核心优势在于其卓越的高电压和高电流处理能力,结合较低的导通电阻(RDS(on)),能够有效降低功率损耗,提高系统效率。其采用的平面 DMOS 技术确保了器件在高频率下的稳定运行,同时提供了良好的热稳定性,适用于需要持续高负载工作的应用。此外,该 MOSFET 的封装形式为 TO-247AC,具有良好的散热性能,适用于高功率密度的设计。该器件的栅极驱动电压范围较宽,允许在 +10V 至 +20V 之间使用,提供了更高的设计灵活性。其高耐用性结构和出色的雪崩能量承受能力,使得 IXFK48N50 在恶劣的电气环境下也能保持稳定运行。另外,该器件符合 RoHS 环保标准,适合绿色电子产品设计。
IXFK48N50 常用于需要高功率和高效率的电源管理系统中,例如:
? 电源供应器(Switching Power Supplies)
? 不间断电源(UPS)系统
? 电机控制和驱动器(如伺服电机和变频器)
? DC-DC 转换器和电池充电系统
? 工业自动化设备和高功率 LED 驱动器
? 电焊机和感应加热系统
由于其高耐压和大电流能力,IXFK48N50 也广泛应用于需要快速开关和高可靠性的工业控制电路中。
IXFH48N50P, IRFPH48N50PBF, FCP48N50, STF48N50