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2SD1664G-Q-AB3-R 发布时间 时间:2025/12/27 8:17:41 查看 阅读:15

2SD1664G-Q-AB3-R是一款由Rohm Semiconductor(罗姆半导体)生产的NPN双极性晶体管,采用小型表面贴装封装(如SOT-223或类似),专为中等功率应用设计。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各类开关电路中。作为一款高性能的硅外延平面型晶体管,2SD1664G-Q-AB3-R具备良好的热稳定性和高可靠性,适用于汽车电子和工业控制等对元器件品质要求较高的领域。其“-Q”后缀表明该型号符合AEC-Q101汽车级认证标准,适合在严苛环境条件下运行。此外,“-AB3-R”表示卷带包装,便于自动化贴片生产,提升了在大规模制造中的适用性。这款晶体管通过优化内部结构,在保证较高电流增益的同时降低了饱和压降,从而提高了整体能效表现。

参数

类型:NPN
  最大集电极-发射极电压(VCEO):80V
  最大集电极电流(IC):2A
  最大集电极功耗(PC):1.5W
  直流电流增益(hFE):200~400(典型值,测试条件IC=500mA)
  集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):≤0.3V(典型值,IC=1A, IB=50mA)
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-223

特性

2SD1664G-Q-AB3-R具有优异的电气性能和热稳定性,其核心优势在于高电流增益与低饱和压降之间的良好平衡,使得它在开关应用中能够实现快速响应和较低的导通损耗。该晶体管采用先进的硅外延工艺制造,确保了器件的一致性和长期可靠性。其最大集电极电流可达2A,集电极-发射极耐压为80V,使其适用于多种中功率开关和放大电路场景。特别地,由于其hFE值在200至400之间,即使在较大负载条件下也能保持稳定的放大能力,减少了对外部驱动电路的要求。
  该器件的另一个显著特点是符合AEC-Q101汽车级可靠性标准,这意味着它经过了严格的应力测试,包括高温反偏、温度循环、机械冲击和湿度敏感性试验等,能够在极端温度变化和振动环境下稳定工作,非常适合用于车载电源系统、LED驱动模块、继电器驱动和电机控制单元。此外,SOT-223封装不仅提供了良好的散热性能,还支持表面贴装技术(SMT),有利于提高PCB布局密度并简化自动化生产流程。
  2SD1664G-Q-AB3-R在高频开关应用中也表现出色,具备较快的开关速度,减少开关过程中的能量损耗。其较低的输入电容和输出电容有助于提升高频响应能力,同时降低电磁干扰(EMI)。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,进一步增强了其在高温环境下的适应能力。综合来看,这款晶体管以其高可靠性、优良的热性能和紧凑的封装形式,成为现代电子系统中理想的中功率开关元件。

应用

2SD1664G-Q-AB3-R广泛应用于需要中等功率处理能力的电子系统中。在汽车电子领域,常用于车身控制模块、车灯驱动电路、风扇电机控制、燃油泵驱动以及DC-DC转换器中,得益于其AEC-Q101认证和出色的温度适应性,能够在发动机舱等高温环境中可靠运行。在工业控制方面,该晶体管可用于PLC输出驱动、继电器或电磁阀驱动电路,实现对执行机构的有效控制。
  在消费类电子产品中,2SD1664G-Q-AB3-R常见于开关电源(SMPS)的次级侧驱动、LED照明调光电路以及便携式设备的电池管理单元。其低饱和压降特性有助于提高电源转换效率,延长电池续航时间。此外,在通信设备和网络基础设施中,该器件也可作为信号切换或小功率放大使用,尤其是在隔离驱动电路中发挥重要作用。
  由于其SOT-223封装具备良好的散热能力,即使在持续大电流工作状态下也能保持较低温升,因此适用于空间受限但需一定功率输出的应用场景。总体而言,2SD1664G-Q-AB3-R凭借其高可靠性、宽工作温度范围和易于集成的特点,已成为多种嵌入式系统和电源架构中的关键组件。

替代型号

[
   "2SD1664",
   "MJD298T4G",
   "FMMT449TA",
   "BC807-40",
   "KSC2690YBU"
  ]

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