IXFK48N47 时间：2025/8/6 6:52:41 阅读：22

IXFK48N47 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），专为高电流、高电压应用设计。该器件采用了先进的平面硅技术，提供了优异的导通和开关性能，适用于电力电子设备如电机驱动、电源转换器、焊接设备和工业自动化系统等。IXFK48N47 具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，使其在高负载条件下依然能够稳定运行。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：470V
　　最大栅源电压 Vgs：±30V
　　最大连续漏极电流 Id（在 25°C）：48A
　　最大功耗（Ptot）：200W
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 0.115Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXFK48N47 MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高效率。其导通电阻 Rds(on) 典型值仅为 0.115Ω，在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。此外，该器件具有高耐压能力，漏源击穿电压为 470V，使其适用于中高压电源系统。
　　另一个显著特性是其高电流承载能力。IXFK48N47 在 25°C 下可承受高达 48A 的连续漏极电流，适合用于高功率密度设计。同时，该 MOSFET 具有良好的热性能，其最大功耗为 200W，并采用 TO-247 封装，便于安装散热器，提高散热效率。
　　该器件还具备出色的开关性能，具有较低的输入电容（Ciss）和快速的开关时间，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。此外，IXFK48N47 提供了良好的栅极驱动兼容性，支持 ±30V 的最大栅源电压，便于与多种控制电路配合使用。
　　由于其高可靠性和耐用性，IXFK48N47 被广泛用于工业电源、不间断电源（UPS）、电动车辆充电系统、太阳能逆变器和焊接设备等领域。

应用

IXFK48N47 适用于多种高功率电子系统，尤其是在需要高电压和大电流处理能力的场合。常见应用包括但不限于：电源转换器（如 DC-DC 和 AC-DC 转换器）、电机控制电路、工业自动化设备、焊接机、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动车充电系统以及高功率音频放大器等。由于其优异的导通和开关性能，IXFK48N47 在这些应用中可以提高系统效率、减少热量产生并提升整体可靠性。