时间：2025/8/5 18:32:37
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IXFK43N60是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于高电压和高电流场景，例如电源转换器、电机控制和工业自动化设备。该器件具有出色的热性能和高可靠性，适用于需要高效率和稳定性的设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：43A
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω
栅极电压（Vgs）：±20V
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFK43N60具有低导通电阻，这使其在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。此外，该器件采用了先进的平面技术，提供出色的开关性能和热稳定性。其高耐压能力（600V）使得它在高压电源设计中表现优异。IXFK43N60还具有良好的抗雪崩能力和过载保护特性，确保在严苛环境中可靠运行。
该MOSFET的封装形式为TO-247，便于散热并支持高功率应用，同时与标准的散热器和电路板设计兼容。其栅极驱动要求相对较低，可以与常见的驱动电路配合使用，从而简化了设计过程。
IXFK43N60主要应用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）以及工业控制系统等场景。由于其高耐压和大电流能力，特别适合用于需要高效率和稳定性的功率转换设备。
IXFK48N60, IXFK43N50, IRFP460, STP43NM60ND
