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IXFK36N60 发布时间 时间:2025/12/29 13:37:54 查看 阅读:13

IXFK36N60是一款由IXYS公司生产的高功率场效应晶体管(MOSFET)芯片,适用于高电压和高电流的应用场景。这款MOSFET具有600V的漏源电压和36A的连续漏极电流能力,广泛用于工业控制、电源转换以及电机驱动等领域。

参数

漏源电压(Vds):600V
  漏极电流(Id):36A
  栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):0.115Ω
  最大工作温度:150℃

特性

IXFK36N60具备低导通电阻,有效减少功率损耗并提高系统效率。其高耐压能力使其在高压应用中具有优异的性能表现。此外,该器件具有快速开关特性,支持高频操作,适用于要求严格的时间响应场景。
  这款MOSFET采用先进的制造工艺,确保了在高温环境下稳定运行。同时,其坚固的封装设计增强了散热能力,有助于延长使用寿命。高可靠性使IXFK36N60适用于各种苛刻条件下的工业设备。

应用

IXFK36N60广泛应用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电机控制、逆变器和焊接设备等高功率电子系统中。由于其高电流和高电压的特性,该芯片还常用于工业自动化设备和电动车辆的功率管理系统。

替代型号

IXFH36N60, IRFP460, FDPF460

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IXFK36N60参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C36A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs325nC @ 25V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9000pF @ 25V
  • 功率 - 最大500W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商设备封装TO-264AA
  • 包装管件