V626ME08-LF 时间：2025/12/28 13:04:49 阅读：14

V626ME08-LF 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。这款 MOSFET 采用先进的沟槽式技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高效率的性能，适合用于 DC-DC 转换器、电机控制、负载开关等应用。其封装形式为 TO-220，便于散热和安装。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　最大连续漏极电流（Id）：8 A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22 Ω @ Vgs = 10 V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（Pd）：50 W

特性

V626ME08-LF MOSFET 具备多项优异特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)），在 Vgs = 10 V 时仅为 0.22 Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达 8 A，适用于中高功率应用。此外，其最大漏源电压为 60 V，使其能够在多种电源转换场景中稳定工作。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，TO-220 封装具备良好的散热性能，可有效降低工作温度，延长器件寿命。其栅极驱动电压范围为 ±20 V，兼容常见的驱动电路设计。在工作温度范围方面，-55°C 至 150°C 的宽温特性使其适用于工业和汽车等严苛环境下的应用。

应用

V626ME08-LF MOSFET 主要用于各种电源管理与功率控制电路中，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统等。其良好的导通特性和较高的电流承载能力使其特别适用于需要高效率和高可靠性的电源模块设计。此外，在工业自动化设备、UPS（不间断电源）、LED 照明驱动以及汽车电子系统中也得到了广泛应用。