时间：2025/8/5 22:26:43
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IXFK28N60是一种N沟道增强型功率MOSFET，由IXYS公司生产，具有高耐压、低导通电阻和良好的热性能。该器件适用于高功率应用，如电源转换、电机控制和逆变器设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：28A
最大漏-源电压（VDS）：600V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on))：0.19Ω
最大功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
IXFK28N60具备出色的导通和开关性能，适用于高频率和高功率的应用场景。其低导通电阻可以有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在较高温度下稳定工作，适合在苛刻的工业环境中使用。IXFK28N60还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了器件的可靠性和耐用性。其封装设计便于安装和散热，有助于提高系统的长期稳定性。
IXFK28N60广泛应用于电源管理、工业电机控制、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及高频开关电源等高功率电子系统中。其高可靠性和优异的性能使其成为工业级应用的理想选择。
IRF840, STF28NM60ND, FDPF28N60
