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IXFK26N120P 发布时间 时间:2023/11/29 17:23:16 查看 阅读:131

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:Polar?
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:460 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss):1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:26A
Id 时的 Vgs(th)(最大):6.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:225nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :16000pF @ 25V
功率 - 最大:960W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-264
包装:管件

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IXFK26N120P参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列Polar™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1200V(1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C26A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C460 毫欧 @ 13A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)6.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs225nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds16000pF @ 25V
  • 功率 - 最大960W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商设备封装TO-264
  • 包装管件