时间：2025/8/5 14:35:03
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IXFK180N25T 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件设计用于在高压和大电流条件下提供卓越的性能和可靠性。IXFK180N25T 采用 TO-247 封装形式，适用于各种工业电源、逆变器、马达控制和电力电子转换系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：250V
最大漏极电流(Id)：180A
导通电阻(Rds(on))：典型值 9.2mΩ
栅极电荷(Qg)：约200nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
功率耗散(Pd)：300W
IXFK180N25T MOSFET 的设计目标是实现高效能和高可靠性。该器件具有非常低的导通电阻，使得在大电流条件下能够保持较低的传导损耗，从而提高系统的整体效率。此外，该器件具有快速开关能力，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波器元件的尺寸和重量。TO-247 封装提供良好的散热性能，确保器件在高功率应用中保持稳定运行。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，能够在极端工作条件下维持稳定的性能。其高雪崩能量耐受能力也使其适用于对可靠性和耐用性要求较高的工业环境。此外，IXFK180N25T 的栅极驱动需求适中，便于与各种类型的驱动电路兼容。
IXFK180N25T 常用于高功率电子设备中，例如工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器、逆变器、焊接设备、DC-DC 转换器和太阳能逆变器等。由于其高电流容量和低导通电阻，该器件也适用于需要高效率和高性能的电源管理系统。
IXFK180N25C, IXFK160N25T, IXFH180N25T
