时间：2025/12/29 13:34:17
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IXFK180N10是一款由IXYS公司制造的高功率场效应晶体管（MOSFET），适用于需要高效能和高可靠性的功率电子应用。该器件设计用于高电流、高电压的开关应用，例如电源供应器、逆变器和电机控制。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：180A
最大漏-源电压：100V
导通电阻（Rds(on)）：约5.5mΩ
栅极电荷：240nC
封装类型：TO-247
IXFK180N10具有低导通电阻，能够减少导通损耗，提高系统效率。其高电流处理能力使其适合用于高功率密度设计。此外，该器件具备高热稳定性和耐用性，能够在恶劣的工作环境下保持可靠性能。为了确保在高频应用中的稳定性，该MOSFET优化了开关特性，减少了开关损耗。其TO-247封装形式提供了良好的散热性能，便于安装和使用。
这款MOSFET还具备过热保护功能，能够在温度过高时自动关闭，防止损坏。此外，其栅极驱动要求较低，可以与常见的驱动电路兼容，简化了设计复杂度。在高频开关应用中，IXFK180N10可以提供出色的性能和效率，适用于工业控制、电源转换和汽车电子等多个领域。
IXFK180N10广泛应用于各种高功率电子系统中，包括直流-直流转换器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统。在工业自动化和电力电子领域，该MOSFET可用于高效能电源管理解决方案。
IXFK180N10P, IXFN180N10T, IRFP4468PBF
