IXFK180N07 时间：2025/12/29 13:59:33 阅读：30

IXFK180N07 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高频率的电力电子应用中。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效能和高可靠性等特点。IXFK180N07 适用于各种高功率转换设备，如 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器和电源管理系统。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：180A
　　最大漏源电压（VDS）：75V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5.8mΩ（在VGS=10V时）
　　功耗（PD）：300W
　　封装形式：TO-264
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

IXFK180N07 具有多个关键特性，使其适用于高功率应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的最大漏极电流可达180A，能够处理高电流负载，适用于大功率转换器和电机驱动器。此外，该MOSFET具有高耐压能力（75V漏源电压），可在较宽的电压范围内稳定工作。IXFK180N07采用TO-264封装，具有良好的热性能，有助于散热，从而提高器件的可靠性和寿命。其栅极驱动电压范围宽（±20V），允许使用标准驱动电路进行控制。此外，该器件的快速开关特性使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和PWM控制电路。最后，IXFK180N07的高工作温度耐受性（最高175°C）确保其在恶劣环境中仍能稳定运行。
　　从结构上看，IXFK180N07采用沟槽式MOSFET技术，优化了载流子流动路径，从而进一步降低了导通电阻。这种结构也有助于减少开关损耗，提高整体能效。此外，该器件具备良好的雪崩能量耐受能力，使其在瞬态过电压条件下仍能保持稳定工作，增强了系统的鲁棒性。综合来看，IXFK180N07 是一款性能优异的功率MOSFET，适用于对效率和可靠性要求较高的电子系统。

应用

IXFK180N07 被广泛应用于高功率电子设备中，例如大功率 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制器、电源管理系统、不间断电源（UPS）、逆变器以及太阳能光伏系统中的功率转换模块。此外，该器件也可用于高电流负载的开关电路、电池充电管理系统以及工业自动化设备中的功率控制单元。由于其高电流能力和优异的热性能，IXFK180N07 在需要高效能、高可靠性的应用中表现尤为出色。