IXFK16N90Q 时间：2025/12/26 12:40:43 阅读：14

IXFK16N90Q是一款由Littelfuse公司生产的高电压、高功率的N沟道MOSFET晶体管，专为需要高效率和高可靠性的电源转换应用而设计。该器件采用先进的平面硅栅极MOSFET技术制造，具备优异的导通电阻与栅极电荷平衡特性，适用于高电压开关电源系统。IXFK16N90Q的额定电压高达900V，连续漏极电流可达16A（在25°C时），因此非常适合用于工业电机控制、高压直流电源、太阳能逆变器以及大功率照明系统等应用场景。其封装形式为TO-247，具有良好的热传导性能，便于安装散热器以提高长期运行稳定性。此外，该器件还具备低输入/输出电容比，有助于减少开关过程中的振铃现象，并降低电磁干扰（EMI）。由于其高耐压能力和较强的抗雪崩能力，IXFK16N90Q能够在恶劣工作条件下保持稳定运行，是高压功率转换系统中理想的开关元件之一。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：900 V
　　最大漏极电流（Id）：16 A（TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：64 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 W（Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.85 Ω（@ Vgs=10V, Id=8A）
　　阈值电压（Vth）：4.0 ~ 6.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 3300 pF（@ Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：典型值 170 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 270 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-247

特性

IXFK16N90Q的核心优势在于其高电压阻断能力和出色的开关性能。该MOSFET采用优化的平面工艺结构，在确保高击穿电压的同时，有效降低了单位面积的导通电阻，从而提升了整体能效。其900V的漏源耐压使其能够安全应用于整流后接近700V DC的母线电压系统中，例如在离网型太阳能逆变器或高压DC-DC变换器中表现出色。器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为180nC（@ Vds=720V, Id=16A），这显著减少了驱动电路所需的能量，提高了系统的开关频率上限，并降低了驱动损耗。
　　另一个关键特性是其优秀的热稳定性和可靠性。TO-247封装提供了较大的芯片连接面积和良好的热导路径，使热量能够快速从结传递到散热器，从而维持较低的工作温度。这种设计不仅延长了器件寿命，也增强了其在连续高负载条件下的运行能力。此外，IXFK16N90Q具备较强的抗雪崩能力，意味着它可以在瞬态过压事件中吸收一定的能量而不发生永久性损坏，这对于防止雷击或电网波动引起的故障至关重要。
　　该器件还具有较低的输出电容（Coss）和反馈电容（Crss），有助于减少开关过程中的电压尖峰和振荡，从而降低电磁干扰（EMI）水平，简化滤波电路设计。其体二极管虽然未专门优化用于快速恢复，但仍然具备一定的反向恢复能力，可在某些硬开关拓扑中作为续流路径使用。总体而言，IXFK16N90Q通过综合性能的优化，成为工业级高压开关应用中的可靠选择。

应用

IXFK16N90Q广泛应用于多种高电压、大功率的电力电子系统中。最常见的用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在单端反激、正激或双管正激拓扑中，作为主开关器件用于将直流高压转换为稳定的低压输出，适用于通信电源、医疗设备电源等场合。此外，该器件也被大量用于太阳能光伏逆变器系统中，尤其是在非隔离型串式逆变器或微型逆变器的升压级（Boost Stage）中，负责将太阳能板输出的不稳定直流电压提升至适合并网的高压水平。
　　在工业电机驱动领域，IXFK16N90Q可用于中小功率变频器的斩波电路或辅助电源模块中，实现对电机速度和转矩的精确控制。同时，由于其高耐压特性，它也适合用于高压LED照明驱动电源，如城市路灯或隧道灯的恒流源设计，能够承受长时间运行带来的热应力和电压冲击。
　　其他应用还包括感应加热设备、电焊机电源、不间断电源（UPS）以及高压直流输电（HVDC）系统中的辅助转换电路。在这些系统中，IXFK16N90Q凭借其高可靠性、强抗干扰能力和良好的热管理表现，确保了整个系统的稳定运行。尤其在环境温度变化剧烈或存在电磁干扰的工业现场，该器件仍能保持优异的开关特性和耐用性，因此受到众多电源设计工程师的青睐。