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IXFK150N10 发布时间 时间:2025/12/29 14:16:37 查看 阅读:9

IXFK150N10 是一款由 Littelfuse(原 International Rectifier,简称 IR)生产的高功率 N 沟道 MOSFET 晶体管。该器件设计用于高电流、高效率的功率转换应用,如 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理系统以及工业和汽车电子系统。IXFK150N10 具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力(100V)以及良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流(ID):150A
  最大漏源电压(VDS):100V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻 Rds(on):最大 6.8mΩ(在 VGS=10V 时)
  栅极电荷(Qg):约 240nC
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-264(全包塑封装,单列直插式)

特性

IXFK150N10 具备多项优异的电气和物理特性,适用于高功率密度和高可靠性的应用场景。
  首先,其低导通电阻 Rds(on) 可显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件的 Rds(on) 最大值为 6.8mΩ,在 10V 栅极驱动电压下可实现高效的电流传输。
  其次,该 MOSFET 的最大漏极电流高达 150A,并具备良好的热管理能力,采用 TO-264 封装形式,具有良好的散热性能,适用于高功率开关应用。
  此外,IXFK150N10 的栅极电荷 Qg 为约 240nC,支持快速开关操作,从而降低开关损耗,适用于高频开关电源和电机控制应用。
  该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,表现出良好的温度适应性和稳定性,适用于严苛的工业和汽车环境。
  最后,其 ±20V 的最大栅源电压允许在较宽的驱动条件下稳定工作,提高了设计的灵活性和可靠性。

应用

IXFK150N10 主要应用于需要高电流和高效率的功率电子系统。常见用途包括大功率 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、电机驱动器、工业自动化设备以及电动汽车和混合动力汽车的电源管理系统。
  在 DC-DC 转换器中,IXFK150N10 可作为主开关器件,其低 Rds(on) 和高电流能力有助于提高转换效率并减少散热需求。
  在电机控制应用中,该 MOSFET 可用于 H 桥电路,提供快速响应和稳定的功率输出。
  此外,由于其良好的热性能和宽工作温度范围,IXFK150N10 也常用于需要长时间高负载运行的工业电源系统中,如不间断电源(UPS)和大功率充电器。

替代型号

IRFP4468, IXFN150N10, SiR178DP, STP150N10F7

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IXFK150N10参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C150A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs360nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9000pF @ 25V
  • 功率 - 最大500W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商设备封装TO-264AA
  • 包装管件