SD840YT是一种常用的电子元器件芯片,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别,广泛应用于功率控制、开关电源和负载管理等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有优异的导通电阻、开关速度和热稳定性,适用于高频率和高效率的电路设计。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:30A
最大漏极-源极电压:60V
导通电阻(Rds(on)):约8.4mΩ(典型值)
栅极电荷:约24nC
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:TO-252(DPAK)
最大功耗:125W
SD840YT具有极低的导通电阻,这使得它在高电流应用中能够有效降低功耗并减少发热。其采用TO-252封装,具有良好的热管理能力,适用于需要高可靠性的工业环境。该MOSFET具备较高的开关速度,适合用于高频开关电路,从而提高整体系统效率。此外,SD840YT的栅极电荷较低,有助于减少驱动损耗,提高响应速度。其工作温度范围宽广,可在极端环境下稳定运行,适用于多种复杂应用场景。
SD840YT常用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、电池充电器以及负载开关等应用中。它在汽车电子、工业控制、消费电子和通信设备等领域也有广泛应用。
IPD90N06S4-07, STP30NF06, FDP30N06L