时间：2025/12/29 14:27:56
阅读：8
IXFK100N25 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流应用。该器件具有较低的导通电阻、较高的电流处理能力和良好的热稳定性，适用于工业电机控制、电源转换、逆变器、UPS 系统以及可再生能源系统等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：250V
最大漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：0.022Ω（典型值）
栅极电压（Vgs）：±20V
功耗（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-247
IXFK100N25 具备出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的平面技术，提供了更高的热稳定性和可靠性。其封装形式（TO-247）具备良好的散热性能，适用于高功率应用环境。
此外，该MOSFET具备较高的短路耐受能力，能够在瞬态过载情况下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计。该器件还具备较低的栅极电荷（Qg），有利于提高开关速度并降低驱动损耗。
在热管理方面，IXFK100N25 设计有良好的热阻特性，能够有效地将热量传导至散热器，确保在高电流和高温环境下稳定运行。其宽工作温度范围（-55°C ~ +175°C）使其适用于各种严苛的工业环境。
IXFK100N25 主要用于需要高功率密度和高效能的电力电子系统中，例如工业电机驱动器、直流电源转换器、不间断电源（UPS）、电焊机、逆变器以及太阳能逆变器等。其优异的导通和开关性能使其成为高频开关电源和电机控制应用的理想选择。
在新能源领域，IXFK100N25 可用于光伏逆变器、储能系统和电动汽车充电设备中，作为主功率开关元件。此外，它也可应用于电动工具、工业自动化设备和智能电网系统中的功率控制模块。由于其高可靠性和热稳定性，该器件在恶劣环境下仍能保持稳定运行，适用于对可靠性要求较高的工业应用。
IXFN100N25、IXTH100N25、IRFP460LC、STP100N250M5
