PBSS4480X,135 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的 Trench 工艺制造,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等领域。其封装形式为 TSOP(Thin Small Outline Package),适用于空间受限的高密度 PCB 设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):40V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):100A
导通电阻(RDS(on)):最大8mΩ @ VGS=10V
工作温度范围:-55°C ~ 175°C
封装类型:TSOP
功率耗散(Ptot):125W
PBSS4480X,135 的主要特性包括:
? 低导通电阻:该器件在 VGS=10V 时 RDS(on) 最大为 8mΩ,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
? 高电流能力:连续漏极电流可达 100A,适合高功率应用。
? 高耐压能力:漏源耐压为 40V,栅源耐压为 ±20V,具备良好的电压稳定性。
? 热性能优异:采用 TSOP 封装,具有良好的散热能力,适用于高温工作环境。
? 快速开关特性:具备较低的栅极电荷(Qg),有利于提高开关速度并降低开关损耗。
? 符合 RoHS 标准:无铅、无卤素,符合环保要求。
这些特性使得 PBSS4480X,135 在现代电力电子系统中具有良好的性能表现。
PBSS4480X,135 主要应用于以下领域:
? 电源管理系统:如 DC-DC 转换器、负载开关等,用于高效能电力转换和分配。
? 电池供电设备:适用于笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携设备的电源控制。
? 电机控制与驱动:用于直流电机、步进电机等驱动电路中的功率开关。
? 汽车电子:如车载充电系统、LED 照明驱动、电动助力转向系统等。
? 工业自动化设备:包括 PLC、伺服驱动器、工业电源模块等需要高效功率开关的场合。
由于其高电流能力和低导通电阻,该器件在需要高效能功率管理的系统中表现出色。
SiSS14DN, FDS4480, NVTFS4480N