时间：2025/8/6 2:15:29
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IXFJ20N85X是一款由IXYS公司制造的高电压、高电流N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于多种高功率应用，例如电源转换器、电机驱动、DC-DC转换器和逆变器等。IXFJ20N85X采用了先进的高压MOSFET技术，具有优异的导通性能和快速的开关特性，能够在高温和高压条件下稳定运行。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压(Vdss)：850V
最大漏极电流(Id)：20A
导通电阻(Rds(on))：0.35Ω（典型值）
栅极阈值电压(Vgs(th))：4.5V至7.0V
最大耗散功率(Pd)：175W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247AC
IXFJ20N85X具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该器件的高漏极电压能力（850V）使其适用于高电压环境，例如太阳能逆变器和高压电源转换器。其次，其低导通电阻（Rds(on)为0.35Ω）降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，IXFJ20N85X的快速开关特性减少了开关损耗，使其在高频操作下表现良好。该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下运行，确保长时间工作的可靠性。最后，TO-247AC封装提供了良好的散热性能，同时便于安装在散热片上。
IXFJ20N85X广泛应用于高电压和高功率电子系统中。常见用途包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和工业自动化设备。此外，该MOSFET也可用于音频放大器和照明系统中的功率调节电路。
IXFJ20N85P, IXFN20N85X, IRF840, FDPF8N80
