IS41LV16256-35K 时间：2025/9/1 10:19:26 阅读：20

IS41LV16256-35K是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）生产的高速、低功耗、动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于16位宽度的DRAM存储器，容量为256K x 16，总计4MB的存储空间。该芯片采用CMOS工艺制造，适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场合。

参数

类型：DRAM
　　容量：256K x 16
　　数据速率：35ns（最高频率约为28.6MHz）
　　电源电压：3.3V
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　位宽：16位
　　工作温度范围：工业级（通常为-40°C至+85°C）
　　引脚数：54
　　接口类型：并行接口
　　刷新方式：自动刷新和自刷新
　　封装尺寸：14mm x 20mm（典型）

特性

IS41LV16256-35K具有多项出色的特性，适合高性能存储应用。
　　首先，该芯片的工作电压为3.3V，显著降低了功耗，适用于对能耗敏感的设备。此外，其低待机电流和自刷新模式进一步延长了电池供电设备的使用寿命。
　　其次，IS41LV16256-35K采用了高速CMOS工艺，提供35ns的访问时间，确保了在高性能系统中的快速数据传输能力。这对于需要快速响应的实时系统非常重要。
　　再次，该芯片提供自动刷新和自刷新功能，能够在不中断系统运行的情况下维持数据完整性，简化了系统设计并提高了可靠性。
　　最后，其TSOP封装形式具有较小的尺寸和良好的散热性能，适合在空间受限的高密度电路板中使用。

应用

IS41LV16256-35K广泛应用于各种嵌入式系统和工业设备中，例如工业控制、网络设备、通信模块、消费类电子产品以及便携式设备。其低功耗和高速特性使其特别适用于需要大容量缓存或临时数据存储的场景，如图像处理、数据缓冲和高速缓存应用。此外，它也常用于需要稳定性和长期运行可靠性的工业自动化设备和网络基础设施设备中。