最大漏源电压(Vds)：350V
　　最大漏极电流(Id)：20A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.18Ω
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2.1V至4.0V
　　最大栅极电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

IXCY20M35A具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，提高了整体效率，这对于电源管理和节能应用尤为重要。其次，该器件具备高耐压能力，最大漏源电压可达350V，适用于高压直流和交流电源系统。此外，其高电流处理能力（最大20A漏极电流）使得该MOSFET可以用于高功率负载场景，如电机控制和工业电源。该器件还具备良好的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，适应各种严苛的环境条件。
　　IXCY20M35A采用TO-247封装形式，这种封装提供了良好的散热性能，有助于降低工作温度，延长器件寿命。同时，该封装形式也便于安装在散热器上，进一步提高散热效率。该MOSFET还具备较高的抗雪崩能力，能够承受瞬时过电压和过电流，增强系统的稳定性和可靠性。此外，它具有较低的输入电容和栅极电荷，从而减少了开关损耗，提高了开关速度，适用于高频开关应用。
　　另一个显著优势是该器件的栅极驱动电压范围较宽，允许使用不同的驱动电路设计，提高系统的灵活性。IXCY20M35A还具有较低的反向恢复时间，这对于在同步整流和半桥拓扑中使用的MOSFET尤为重要。这有助于减少开关过程中的能量损失，提高系统的整体效率。总之，IXCY20M35A是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于各种高压、高功率电子系统。

IXCY20M35A广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其是在需要高效能、高耐压和大电流处理能力的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC/DC Converter）、电机驱动器、电池充电器、UPS（不间断电源）系统、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。在这些应用中，IXCY20M35A能够有效减少能量损耗，提高系统效率，并在高负载条件下保持稳定运行。
　　在电源转换器中，IXCY20M35A的低导通电阻和快速开关特性使其能够实现更高的能量转换效率，降低发热损耗。在电机控制应用中，该器件的高电流能力和热稳定性使其能够驱动大功率电机，适用于电动工具、电动汽车和工业机械等领域。在电池管理系统中，该MOSFET可以用于高精度的充放电控制，确保电池的安全运行。
　　此外，IXCY20M35A还可用于高频逆变器和太阳能逆变器系统，其优异的开关性能和耐压能力使其能够在复杂的电磁环境中稳定工作。在工业自动化领域，该器件可用于控制高功率负载设备，如加热元件、电磁阀和执行机构，确保系统的可靠性和长期运行稳定性。

STP20N35C5, FQA20N35C, FDPF20N35S